超大阵列CMOS图像传感器时序控制驱动电路设计

作     者：高静 张天野 聂凯明 徐江涛 Gao Jing;Zhang Tianye;Nie Kaiming;Xu Jiangtao

作者机构：天津大学微电子学院天津300072 天津市成像与感知微电子技术重点实验室天津300072 

出 版 物：《天津大学学报（自然科学与工程技术版）》 (Journal of Tianjin University：Science and Technology)

年 卷 期：2021年第54卷第1期

页      码：75-81页

摘      要：分辨率是CMOS图像传感器最重要的指标之一,分辨率越高,意味着像素阵列越大,像素阵列横向尺寸的增大对时序控制驱动电路的驱动能力提出了更高的要求,纵向尺寸增大也使得延迟影响行选信号的正常产生.本文研究了超大阵列CMOS图像传感器时序控制驱动电路.在像素阵列尺寸确定的情况下,采用左右两端同时驱动来提高控制电路的驱动能力,分析了寄生效应对时钟走线的影响,提出一种将移位寄存器时钟反向接入的方法,在不增加额外版图消耗的前提下提高了电路的可靠性.此外传感器尺寸较大,因此将时序控制驱动电路设计成可重复单元,再进行拼接.基于110 nm CMOS工艺,设计了超大阵列CMOS图像传感器时序控制驱动电路,并进行了2 k×2 k的样品芯片设计.配合2-share型5T像素结构,时序控制驱动电路可以实现滚筒模式、滚筒像素合并模式、全局模式3种模式的切换,并且可以开启高增益模μm式来获得低光照条件下的良好表现.样品芯片的像素尺寸为6μm×6μm,单侧行驱动电路尺寸为2 256μm×12 288μm,芯片整体尺寸19 300μm×19 500μm,帧频2帧/s,每行行选时间24.36μs,左右两端同时驱动,左右两侧信号差小于5 ns.

主 题 词：超大阵列CMOS图像传感器 时序控制驱动电路 寄生效应 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.11784/tdxbz201911038

馆 藏 号：203100007...