1200V大容量SiC MOSFET器件研制

作     者：刘新宇 李诚瞻 罗烨辉 陈宏 高秀秀 白云 LIU Xin-yu;LI Cheng-zhan;LUO Ye-hui;CHEN Hong;GAO Xiu-xiu;BAI Yun

作者机构：中国科学院微电子研究所北京100029 新型功率半导体器件国家重点实验室湖南株洲412001 株洲中车时代半导体有限公司湖南株洲412001 

基　　金：国家重点基础研究发展规划(973计划)项目(No.2017YFB0102302) 

出 版 物：《电子学报》 (Acta Electronica Sinica)

年 卷 期：2020年第48卷第12期

页      码：2313-2318页

摘      要：采用平面栅MOSFET器件结构,结合优化终端场限环设计、栅极bus-bar设计、JFET注入设计以及栅氧工艺技术,基于自主碳化硅工艺加工平台,研制了1200V大容量SiC MOSFET器件.测试结果表明,器件栅极击穿电压大于55V,并且实现了较低的栅氧界面态密度.室温下,器件阈值电压为2.7V,单芯片电流输出能力达到50A,器件最大击穿电压达到1600V.在175℃下,器件阈值电压漂移量小于0.8V;栅极偏置20V下,泄漏电流小于45nA.研制器件显示出优良的电学特性,具备高温大电流SiC芯片领域的应用潜力.

主 题 词：碳化硅 MOSFET 栅极bus-bar JFET注入 大容量器件 低漏电 高温半导体 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.0372-2112.2020.12.004

馆 藏 号：203100047...