基于GaN技术的大功率T/R组件可靠性设计与分析

作     者：彭祥飞 江浩 邓林 PENG Xiang-fei;JIANG Hao;DENG Lin

作者机构：中国电子科技集团公司第29研究所成都610036 

基　　金：国防科工局技术基础科研项目(JSZL2016210B001) 

出 版 物：《装备环境工程》 (Equipment Environmental Engineering)

年 卷 期：2020年第17卷第12期

页      码：115-118页

摘      要：结合T/R组件的工作原理,对影响大功率T/R组件可靠性的关键技术进行了设计与分析。通过与现有的基于GaAs技术的T/R组件设计电路对比分析,阐述了基于Ga N技术的大功率、高可靠性T/R组件的电路设计方法。

主 题 词：T/R组件 GaN芯片 高可靠性 电路设计 热设计 

学科分类：080904[080904] 0810[工学-土木类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 081105[081105] 081001[081001] 081002[081002] 0825[工学-环境科学与工程类] 0811[工学-水利类] 

D　O　I：10.7643/issn.1672-9242.2020.12.018

馆 藏 号：203100059...