射频低噪声放大器的优化设计方法研究

作     者：郭展 Guo Zhan

作者机构：中国空空导弹研究院河南洛阳471000 

出 版 物：《电子质量》 (Electronics Quality)

年 卷 期：2020年第12期

页      码：56-60,77页

摘      要：随着微波技术的进步,人们对雷达、通信系统的指标要求越来越高。低噪声放大器作为微波接收电路重要部件,其好坏决定了整个电子通信系统系统的灵敏度和噪声性能。微波单片集成电路凭借小巧紧凑、稳定性好、抗干扰能力强以及低功耗等优势成为首选;基于现有单片集成电路设计低噪声放大器的设计越来越多,更合适的电路优化方法也越来越重要。该文通过一个基于PHEMT晶体管ATF-36136的12GHz低噪声放大器的设计,对低噪声放大器优化设计方法进行了深入研究,尤其考虑了电路设计中工作温度变化、介电常数精度、电路板加工精度、PCB布局布线等因素在电路优化设计中的影响。

主 题 词：射频低噪放 ADS仿真 介电常数精度 加工精度 优化设计 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203100068...