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耗尽型MOSFET激励电源上电

耗尽型MOSFET激励电源上电

作     者:Gregory Mirsky 

作者机构:Milavia InternationalBuffalo Grove IL 

出 版 物:《电子设计技术 EDN CHINA》 (EDN CHINA)

年 卷 期:2008年第15卷第4期

页      码:97-97页

摘      要:许多开关型电源用“按键上电”电路使其脱机运转初始化。这些电路简单的由电阻(如International Rectlfler公司的IRIS4015)实现,复杂的由双极晶体管或MOSFET实现(参考文献1)。这些晶体管为反激变换器或PFC(功率因数校正)IC提供初始电流。当这些电源用正常模式开始工作时,专用线圈的电压持续给PFC芯片供电,从而减小了激励上电电路的功耗。

主 题 词:MOSFET 激励电源 耗尽型 双极晶体管 功率因数校正 开关型电源 反激变换器 

学科分类:080903[080903] 081901[081901] 0819[工学-海洋工程类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号:203100187...

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