GaAs　MESFET大信号瞬态模拟

作     者：邓先灿 冯春阳 孙国恩 骆建军 

作者机构：杭州电子工业学院微电子CAE研究所 

基　　金：微电子应用基础研究重点课题 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：1994年第15卷第11期

页      码：741-746页

摘      要：本文采用了大信号瞬态分析方法，从砷化镓（ＧａＡｓ）材料参数和器件几何参数出发，通过求解Ｐｏｉｓｓｉｏｎ方程和连续性方程，模拟出ＦＥＴ器件端口特性，得到了大小信号器件模型不同的定量依据，并在此基础上提取出了ＦＥＴ非线性模型参数．本文所开发的软件，其有效性在从材料器件物理参数出发，一步设计出微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）的ＣＡＤ过程中得到了验证．

主 题 词：砷化镓 MESFET 大信号 瞬态模拟 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

馆 藏 号：203100779...