AlGaN/AlN_a/GaN/AlN_b/GaN HEMT结构材料生长及性能表征

作     者：肖红领 王晓亮 张明兰 马志勇 王翠梅 杨翠柏 唐健 冉军学 李晋闽 王占国 侯洵 

作者机构：中国科学院半导体研究所材料科学中心 中国科学院半导体研究所材料开放重点实验室 中国科学院半导体研究所西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室北京100083 

基　　金：国家自然科学基金(60576046 60606002) 国家"973"重点基础研究项目(2006CB604905 613270805) 中国科学院知识创新工程(YYYJ-0701-02) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2008年第33卷第S1期

页      码：206-209页

摘      要：设计了一种具有双Al N插入层的Al GaN/Al Na/GaN/Al Nb/GaN HEMT结构材料,用以提高沟道对2DEG的限制作用、改善材料的电学性能。采用MOCVD技术生长了该结构,重点研究了第一Al Nb插入层的生长时间对材料表面形貌和电学性能的影响,得到了最佳的Al Nb生长时间介于15~20s。对Al Nb生长时间为15s的样品进行了变温Hall测试,其2DEG迁移率在80K时达8849cm2/V.s,室温下为1967cm2/V.s,面密度始终保持在1.02×1013cm-2左右,几乎不随温度改变。用非接触式方块电阻测试系统测得该样品的方块电阻值为278.3Ω/□,不均匀性为1.95%,说明双Al N插入层的引入对提高HEMT结构材料的电学性能作用明显。

主 题 词：HEMT 异质结构 氮化铝 插入层 电学性能 二维电子气 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2008.s1.073

馆 藏 号：203100808...