新结构InGaP/GaAs/InGaP DHBT生长及特性研究

作     者：艾立鹍 徐安怀 孙浩 朱福英 齐鸣 AI Likun;XU Anhuai;SUN Hao;ZHU Fuying;QI Ming

作者机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 

基　　金：国家自然科学基金项目(60676062) 国家重点基础研究发展计划(973)项目(2010CB327502) 中科院上海微系统所青年创新基金项目(2009QNCX05) 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2010年第30卷第1期

页      码：23-26,68页

摘      要：设计并生长了一种新的InGaP/GaAs/InGaP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入n+-InGaP插入层结构,以解决InGaP/GaAs/InGaP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质量外延材料,成功地生长出带有n+-InGaP插入层结构的GaAs基InGaP/GaAs/InGaP DHBT结构材料。采用常规的湿法腐蚀工艺,研制出发射极面积为100μm×100μm的新型结构InGaP/GaAs/InGaP DHBT器件。直流特性测试的结果表明,所设计的集电结带有n+-InGaP插入层的InGaP/GaAs/InGaP DHBT器件开启电压约为0.15V,反向击穿电压达到16V,与传统的单异质结InGaP/GaAs HBT相比,反向击穿电压提高了一倍,能够满足低损耗、较高功率器件与电路制作的要求。

主 题 词：双异质结双极晶体管 气态源分子束外延 砷化镓 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2010.01.004

馆 藏 号：203101031...