双频段低噪声放大器的设计

作     者：谢红云 王文军 张万荣 沈珮 丁春宝 尤云霞 孙博韬 XIE Hongyun;WANG Wenjun;ZHANG Wanrong;SHEN Pei;DING Chunbao;YOU Yunxia;SUN Botao

作者机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京100022 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 

基　　金：国家自然科学基金项目资助(60776051 61006044) 北京市自然科学基金项目资助(4082007) 北京市教委科技发展计划项目资助(KM200710005015 KM200910005001) 北京工业大学教育教学研究项目资助(ER2009-B-11) 北京工业大学学科与研究生教育创新人才培养计划资助(00200054Y4003) 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2010年第33卷第5期

页      码：582-586页

摘      要：适应多标准移动通信终端的迅速发展,设计了能够在800 MHz和1.8 GHz两个不同频段独立工作的低噪声放大器。放大器使用噪声性能优良的SiGe HBT管子,采用Cascode结构减小Miller电容的影响,发射极串联电感消除放大器输入端噪声系数和功率匹配的耦合,输入匹配电路采用单通道串并联LC电路,计算串并联电感和电容值,可以在两个工作频点发生谐振。输出端通过调整负载阻抗到50Ω,采用简单的电路实现功率输出。ADS的仿真结果表明,本文设计的低噪声放大器在800 MHz和1.8 GHz两个工作频段的S21分别达到了24.3 dB和21.3 dB,S11均达到了-13 dB,S22均在-27 dB以下,两个频段的噪声系数分别为3.3 dB和2.0 dB。

主 题 词：双频段 低噪声放大器 匹配 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2010.05.015

馆 藏 号：203101057...