中科院宣布成功开发22nm MOSFET

作     者：郑冬冬 

出 版 物：《半导体信息》 (Semiconductor Information)

年 卷 期：2013年第1期

页      码：3-4页

摘      要：中国科学院微电子研究所(IMECAS)宣布在22 nm CMOS制程上取得进展,成功制造出高K金属闸MOSFET。中科院指出,中国本土设计与制造的22nm元件展现出更高性能与低功耗。根据中科院微电子研究所电路先导工艺研发中心表示。

主 题 词：微电子研究所 工艺研发 nm MOSFET 技术节点 中国科学院 国际专利申请 商用领域 中芯国际 

学科分类：080903[080903] 0202[经济学-财政学类] 02[经济学] 020205[020205] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203101300...