不同SiC材料p^+(p^-/n^-)n^+型二极管反向恢复过程的仿真

作     者：蒋佩兰 韦文生 赵少云 刘路路 JIANG Peilan;WEI Wensheng;ZHAO Shaoyun;LIU Lulu

作者机构：温州大学物理与电子信息工程学院浙江温州325035 

基　　金：国家自然科学基金(61274006) 浙江省大学生科技创新活动计划暨新苗人才计划(2014R424017) 

出 版 物：《温州大学学报（自然科学版）》 (Journal of Wenzhou University(Natural Science Edition))

年 卷 期：2016年第37卷第2期

页      码：33-38页

摘      要：讨论了Si C材料p^+/p^-(n^-)/n^+型二极管的集总电荷模型,利用Matlab编程数值仿真了p^-(n^-)型基区器件的反向恢复过程.分析了器件的反向恢复时间、反向恢复最大电流与基区的少子寿命、载流子浓度、载流子迁移率、宽度、温度等参数的关系.结果表明,用4H-Si C设计的p^-型基区二极管的反向恢复性能最优.若基区的少子寿命越短、载流子浓度越高、温度越低,则器件的反向恢复时间越短,反向恢复最大电流越小.本文可作为Si C功率二极管优化设计及其反向恢复特性仿真的教学案例.

主 题 词：SiC p+/p-(n-)/n+型二极管 反向恢复 数值模拟 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3875/j.issn.1674-3563.2016.02.005

馆 藏 号：203101315...