样品电流模式下外磁场引起的X射线吸收谱强度变化

作     者：郭玉献 王劼 李红红 徐彭寿 王锋 闫文盛 Guo Yu-Xian;Wang Jie;Li Hong-Hong;Xu Peng-Shou;Wang Feng;Yan Wen-Sheng

作者机构：中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230029 

基　　金：国家大科学工程项目(批准号P2B07 P2C07) 国家自然科学基金(批准号:10274073)资助的课题 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2007年第56卷第1期

页      码：561-568页

摘      要：在用样品电流模式的测量过程中发现,磁场强度、磁场与样品表面的夹角以及光斑在样品表面的位置都会对吸收谱强度产生影响;在光斑、磁场和样品的不同几何配置下,测量并分析了表面均匀氧化的铝箔中氧的K边吸收谱,指出外磁场下吸收谱强度随各种条件变化的趋势,并对实验结果给出了合理解释;结果表明所用的模型分析与实验数据符合得很好;所得到的信息对于XMCD实验的设计安排、相应数据的分析以及物理信息的提取具有重要意义.

主 题 词：X射线磁性圆二色 样品电流 外磁场 全电子产额 

学科分类：070207[070207] 07[理学] 08[工学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.56.561

馆 藏 号：203101397...