功率半导体器件的场限环研究

作     者：遇寒 沈克强 YU Han;SHEN Ke-qiang

作者机构：东南大学MEMS教育部重点实验室南京210096 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2007年第30卷第1期

页      码：210-214页

摘      要：分析了场限环结构原理,总结了影响击穿电压的相关因素.采用圆柱坐标对称解进行分析,讨论了给定击穿电压情况下场限环结构的电场分布和峰值电场表达式及各种确定场限环个数的方法的.最后用流行的2-D半导体器件模拟工具MEDICI对器件终端进行相关模拟,尤其是表面电荷对带场限环的击穿电压和优化环间距的影响做了大量的分析模拟.得出的结论与文献中的数值模拟结果相符合,对设计优化场限环有一定的指导性.

主 题 词：功率半导体 击穿电压 场限环 环间距MEDICI表面电荷 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2007.01.056

馆 藏 号：203101428...