含硒杂环萘二酰亚胺衍生物的合成及其场效应性能研究

作     者：罗河伟 李乐琦 马贺 王诗文 Luo Hewei;Li Leqi;Ma He;Wang Shiwen

作者机构：郑州轻工业大学郑州450002 

基　　金：国家自然科学基金项目(21602208) 河南省科技厅科技攻关项目(182102210616)资助 

出 版 物：《化学通报》 (Chemistry)

年 卷 期：2021年第84卷第1期

页      码：63-68页

摘      要：萘二酰亚胺(NDI)类化合物由于其较好的平面性和较强的接受电子能力,被广泛应用于有机场效应晶体管(OFETs)和有机太阳能电池中(OSCs)。然而,高迁移率的n型和双极性NDI类半导体材料较少。基于此,本文设计合成了核位硒杂环修饰的NDI衍生物,通过引入1,2-二硒苯和1,2-二硒萘基团,对其能级进行了有效的调控,获得了两个新型的窄带隙NDI衍生物。通过溶液旋涂法,制备了两种材料的底栅底接触场效应晶体管器件,二者在空气中都表现出n型半导体特性,退火温度为120℃时性能达到最优,分别为1×10^(-3)cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)(4)和5×10^(-3)cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)(5)。同时,通过原子力显微镜和X射线衍射对材料薄膜的退火过程进行了研究。

主 题 词：有机场效应晶体管 萘二酰亚胺 核位修饰 硒杂环 

学科分类：080903[080903] 081704[081704] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-轻工类] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 070303[070303] 0703[理学-化学类] 

D　O　I：10.14159/j.cnki.0441-3776.2021.01.011

馆 藏 号：203101440...