FinFET器件总剂量效应研究进展

作     者：张峰源 李博 刘凡宇 杨灿 黄杨 张旭 罗家俊 韩郑生 ZHANG Fengyuan;LI Bo;LIU Fanyu;YANG Can;HUANG Yang;ZHANG Xu;LUO Jiajun;HAN Zhengsheng

作者机构：中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院大学北京100049 中国科学院硅器件技术重点实验室北京100029 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61874135) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2020年第50卷第6期

页      码：875-884页

摘      要：全面综述鳍式场效应晶体管(FinFET)的总剂量效应,包括辐照期间外加偏置、器件的工艺参数、提高器件驱动能力的特殊工艺、源/漏掺杂类型以及不同栅介质材料和新沟道材料与FinFET总剂量效应的关系。对于小尺寸器件,绝缘体上硅(SOI)FinFET比体硅FinFET具有更强的抗总剂量能力,更适合于高性能抗辐照的集成电路设计。此外,一些新的栅介质材料和一些新的沟道材料的引入,如HfO2和Ge,可以进一步提高FinFET器件的抗总剂量能力。

主 题 词：总剂量效应 体硅FinFET器件 SOI FinFET器件 新材料 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.190753

馆 藏 号：203101463...