单路LDMOS实现的高压电平位移电路及其应用

作     者：武振宇 方健 乔明 李肇基 WU Zhen-yu;FANG Jian;QIAO Ming;LI Zhao-ji

作者机构：电子科技大学IC设计中心四川成都610054 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2007年第37卷第2期

页      码：250-254页

摘      要：提出了一种HVIC中高端浮动电路的新的实现方式,该方式采用单路LDMOS,实现了高压电平位移的功能。分析了该方式的电路结构和工作原理,以此为基础,设计了功率MOS栅驱动集成电路。在主要电学指标相近的情况下,与目前常用电路相比,版图面积减小了约20%。采用6μm CMOS-LDMOS工艺,通过Hspice进行仿真验证,证明该方式正确可行。

主 题 词：高压集成电路 单路LDMOS 电平位移 功率MOS栅驱动集成电路 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-3365.2007.02.025

馆 藏 号：203101476...