基于CMOS的96-105GHz太赫兹放大器的设计

作     者：程俊明 张铁笛 延波 范超 CHENG Jun-ming;ZHANG Tie-di;YAN bo;FAN Chao

作者机构：电子科技大学电子科学与工程学院成都611731 

出 版 物：《微波学报》 (Journal of Microwaves)

年 卷 期：2020年第36卷第S01期

页      码：312-314页

摘      要：采用SMIC55nm CMOS工艺设计了一款单级100GHz的放大器,该放大器采用共源共栅结构进行设计,相对共源级结构可提高其输出P1dB压缩点,进而可以输出更大的功率要求。共源共栅电路单级放大器具有更好的输入输出隔离,更好的增益,提高带宽,更高的输入阻抗,更高的输出阻抗,更好的稳定性,高的转换率等优点。仿真结果表明:这款放大器覆盖频段是96~105GHz,增益>1dB,噪声系数为3.4~5.7,输出1dB压缩点>1.4dBm。在2.5V电压下,功耗<110mW。

主 题 词：CMOS 放大器 共源共栅 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203101508...