基于CMOS工艺的逆F类功率放大器设计

作     者：张晨波 张铁笛 范超 延波 ZHANG Chen-bo;ZHANG Tie-di;FAN Chao;YAN Bo

作者机构：电子科技大学电子科学与工程学院成都611731 

出 版 物：《微波学报》 (Journal of Microwaves)

年 卷 期：2020年第36卷第S1期

页      码：164-166页

摘      要：基于SMIC55nm工艺设计了一款Ka波段(32~38GHz)的功率放大器。该功率放大器通过片上巴伦实现了功率合成,并在巴伦上加入了谐波控制网络来进一步改善功放的功率附加效率(PAE)。采用cadence软件原理图仿真,使用peakview软件进行电磁仿真,仿真结果表明,在2.5V供电电压下,在中心频率35GHz功率增益为29.2dB,输出功率1dB压缩点为16.7dBm,最高功率附加效率(PAE)达到20%,芯片面积仅为0.55mm2。

主 题 词：CMOS 功率放大器 巴伦 功率合成 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203101516...