基于PFM控制的高效GaN全桥LLC谐振变换器设计

作     者：高圣伟 贺琛 GAO Shengwei;HE Chen

作者机构：天津工业大学电工电能新技术天津市重点实验室机械工程学院博士后流动站天津300387 

基　　金：国家自然科学基金重点资助项目(51337001) 国家自然科学基金(51777136) 天津市研究生科研创新项目(2019YJSS026) 

出 版 物：《现代电子技术》 (Modern Electronics Technique)

年 卷 期：2021年第44卷第2期

页      码：27-32页

摘      要：GaN MOSFET作为宽禁带的第三代半导体不仅开关速度快而且导通电阻小,把其用于变换器具有一定的高效性,而LLC谐振变换器作为高效的DC-DC变换器一直被广泛关注。现将GaN MOSFET用作全桥LLC谐振变换器的原边开关管进一步提升变换器的效率,并且通过PFM(变频)控制将变换器的工作频率划分为3个区域,进而找到效率最高的频率点,使变换器以此频率高效运行,文中对全桥LLC谐振变换器进行了参数设计,并基于Plecs和Matlab软件联合仿真验证参数和方案的可行性,搭建硬件平台得到谐振电流、输出电压的实验波形与仿真波形进行对比。实验结果表明,将GaN器件引入全桥LLC谐振变换器后能提高系统的频率及功率密度且最高效率可达96%。

主 题 词：全桥LLC谐振变换器 PFM控制 参数设计 频率划分 方案验证 波形对比 

学科分类：080903[080903] 080801[080801] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16652/j.issn.1004-373x.2021.02.007

馆 藏 号：203101566...