一种高精度曲率补偿CMOS带隙基准的设计

作     者：王新亚 解光军 WANG Xin-ya;XIE Guang-jun

作者机构：合肥工业大学理学院安徽合肥230009 

基　　金：安徽省优秀青年科技基金资助项目(06042086) 

出 版 物：《合肥工业大学学报（自然科学版）》 (Journal of Hefei University of Technology：Natural Science)

年 卷 期：2007年第30卷第12期

页      码：1702-1704页

摘      要：普通的一阶补偿带隙基准因忽略了YBE的高阶非线性项，其温度系数一般在20×10^-6～30×10^-6／℃，不能满足高精度系统的设计要求，因此为了得到温度系数更好的基准电压，需要对带隙基准中VBE的高阶项进行补偿。文章利用工作在亚阈值区MOS管的FV指数特性，分别对低温及高温条件下VBE的高阶非线性项进行了补偿，从而实现了高精度基准电压。

主 题 词：带隙基准 曲率补偿 温度系数 亚阈值区 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-5060.2007.12.037

馆 藏 号：203101671...