面向微处理器核的片上老化检测模块设计

作     者：刘帅 虞致国 洪广伟 顾晓峰 LIU Shuai;YU Zhiguo;HONG Guangwei;GU Xiaofeng

作者机构：江南大学物联网技术应用教育部工程研究中心电子工程系江苏无锡214122 

基　　金：中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP51510) 江苏省研究生科研与实践创新计划资助项目(SICX18_0647) 江苏省重点研发计划资助项目 

出 版 物：《传感器与微系统》 (Transducer and Microsystem Technologies)

年 卷 期：2021年第40卷第2期

页      码：89-91,94页

摘      要：为检测负偏压温度不稳定性(NBTI)效应导致的微处理器中组合逻辑路径延迟的增大,设计了一种可感知微处理器核NBTI效应的混合结构检测模块。检测模块包括老化延时探测模块及测量模块,能够准确测量NBTI效应造成的电路延时增量;相比于传统单一的延迟线结构,其面积开销降低40%。所设计的结构在ISCAS与OR1200核上实验,延时测量精度达到94%以上,可为微处理器的可靠性设计提供细粒度的防护。

主 题 词：微处理器 负偏压温度不稳定性 片上老化测量 细粒度 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13873/J.1000-9787(2021)02-0089-03

馆 藏 号：203101683...