复合多晶硅栅LDMOS的特性研究

作     者：洪琪 陈军宁 柯导明 刘磊 高珊 刘琦 Hong Qi;Chen Junning;Ke Daoming;Liu Lei;Gao Shan;Liu Qi

作者机构：安徽大学电子科学与技术学院合肥230039 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60576066) 安徽省教育厅自然科学研究重点项目(2006kj012a) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2008年第33卷第3期

页      码：227-230页

摘      要：提出了一种应用于射频领域的复合多晶硅栅LDMOS结构(DMG-LDMOS),并给出了工艺实现方法。此结构采用了栅工程的概念,所设计的栅电极由S-栅和D-栅两块电极并列组成,其中,S-栅采用功函数较高的p+多晶硅;D-栅采用功函数较低的n+多晶硅。MEDICI对n沟道DMG-LDMOS和n沟道普通LDMOS的模拟结果表明,该结构能够提高器件的沟道载流子速度,从而增加器件的跨导值,并且该结构在提高器件击穿电压的同时还能提高器件的截止频率。

主 题 词：复合栅 截止频率 功函数 横向扩散金属氧化物 栅源电容 栅漏电容 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353X.2008.03.012

馆 藏 号：203101697...