GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的量子阱参数设计

作     者：张世伟 齐利芳 赵永林 李宁 Zhang Shiwei;Qi Lifang;Zhao Yonglin;Li Ning

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2015年第40卷第7期

页      码：521-524,530页

摘      要：量子阱参数如势阱宽度、势垒高度和阱中的掺杂浓度决定了阱中的能级分布及光学吸收,它和量子阱红外探测器(QWIP)的响应波长、暗电流、响应率、探测率等特性参数密切相关。为了使设计的QWIP达到预期的各种性能指标,对其各参量进行了精心设计。运用量子阱的第一激发态与势垒的高度接近时产生共振效应,进行了量子阱的优化设计,得出垒高和阱宽的关系。另外,根据器件光谱响应的要求,利用传输矩阵法计算出相应的量子阱参数。此设计方法在GaAs/AlGaAs长波-长波双色QWIP中得到了较好的验证。

主 题 词：量子阱红外探测器(QWIP) 暗电流 光谱响应 探测率 双色 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.07.009

馆 藏 号：203101697...