辐照对聚酰亚胺基板铜薄膜金属化TiN阻挡层的影响

作     者：刘杨秋 梁彤祥 倪晓军 付志强 

作者机构：清华大学核能技术设计研究院新材料研究室北京102201 

基　　金：清华大学基础研究基金资助项目(993235) 

出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期：2002年第21卷第12期

页      码：11-12,16页

摘      要：采用物理气相沉积方法在聚酰亚胺基板上沉积Cu薄膜,利用TiN阻挡Cu元素向聚酰亚胺基板内部扩散。研究了在60Co-g射线辐照条件下,TiN阻挡层的阻挡效果,扫描俄歇微探针谱图分析表明:TiN层可以有效地阻挡Cu元素向聚酰亚胺基板内的扩散。当照射剂量大于2105 Gy后,TiN失去阻挡Cu元素扩散的效果。

主 题 词：TiN阻挡层 聚酰亚胺基板 氮化钛 铜薄膜金属化 辐照 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-2028.2002.12.004

馆 藏 号：203101728...