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中子源屏蔽体尺寸和源室结构对本底的影响

中子源屏蔽体尺寸和源室结构对本底的影响

作     者:曾心苗 周鹏 许自炎 秦培中 胡祥 郑金美 王炳林 ZENG Xinmiao;ZHOU Peng;XU Ziyan;QIN Peizhong;HU Xiang;ZHENG Jinmei;WANG Binglin

作者机构:北京市射线应用研究中心北京100012 

出 版 物:《核技术》 (Nuclear Techniques)

年 卷 期:2008年第31卷第5期

页      码:344-347页

摘      要:采用蒙特卡罗粒子输运计算程序(Monte Carlo N-partical transport code,MCNP),就中子源屏蔽体和中子源室结构对屏蔽体不同探测位置的中子透射和反射情况进行了计算机模拟计算。计算采用的入射粒子分别为14 MeV和5 MeV的单能中子以及252Cf自发裂变中子。从计算结果看,屏蔽体的尺寸和结构对中子透射的影响都比较明显;源室的结构和地坑也对本底产生较大影响。通过理论计算可以了解屏蔽体结构和源室情况对测量本底的影响,可为源室设计以及中子实验研究提供重要参考。

主 题 词:中子屏蔽体 源室结构 中子透射 本底 MCNP程序 

学科分类:08[工学] 0807[工学-电子信息类] 0827[工学-食品科学与工程类] 082701[082701] 0703[理学-化学类] 1009[医学-法医学类] 0702[理学-物理学类] 0801[工学-力学类] 

核心收录:

D O I:10.3321/j.issn:0253-3219.2008.05.006

馆 藏 号:203101768...

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