高配位3d过渡金属单离子磁体磁各向异性研究

作     者：崔会会 孙同明 王淼 陈磊 汤艳峰 CUI Hui‑Hui;SUN Tong‑Ming;WANG Miao;CHEN Lei;TANG Yan‑Feng

作者机构：南通大学化学化工学院南通226019 江苏科技大学环境与化学工程学院镇江212003 

基　　金：国家自然科学基金(No.21776140)资助 

出 版 物：《无机化学学报》 (Chinese Journal of Inorganic Chemistry)

年 卷 期：2021年第37卷第2期

页      码：193-205页

摘      要：单离子磁体(SIMs)因其磁性双稳态和慢弛豫机制而在高密度信息存储、量子计算和分子自旋电子学等方面具有潜在的应用价值。其中3d过渡金属单离子磁体(3d‑SIMs)磁构关系较为简单且易于分析,因此得到了众多研究者的关注。目前文献上报道的大多数3d‑SIMs通常具有较低的配位数,而对于高配位(七配位和八配位)的3d‑SIMs缺少深入而系统的研究。我们结合近年来的研究成果,从磁各向异性的基本性质、实验表征和理论计算3个方面出发,对高配位3d过渡金属单离子磁体的配位环境、磁各向异性和慢磁弛豫行为进行了综述,分析了配位构型和配位原子等配位环境对高配位3d过渡金属单离子磁体磁各向异性的影响,为高配位3d过渡金属单分子磁体的设计与调控提供思路。

主 题 词：3d过渡金属离子 单离子磁体 磁各向异性 高配位 

学科分类：081704[081704] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-轻工类] 070304[070304] 0703[理学-化学类] 

核心收录：

D　O　I：10.11862/CJIC.2021.044

馆 藏 号：203101795...