C波段高效率高线性GaN MMIC功率放大器

作     者：乔明昌 张志国 王衡 Qiao Mingchang;Zhang Zhiguo;Wang Heng

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 空装驻合肥地区第一军代室合肥230088 

基　　金：国家科技重大专项资助项目(2017ZX03001024) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2021年第46卷第2期

页      码：124-128页

摘      要：基于SiC衬底0.25μm GaN HEMT工艺,设计实现了一款C波段、高效率和高线性的单片微波集成电路(MMIC)功率放大器。通过优化电路匹配结构,选择合适的有源器件和恰当的直流偏置条件,实现低视频漏极阻抗;利用后级增益压缩和前级增益扩张对消等手段,实现高功率附加效率和好的线性指标。功率放大器芯片尺寸为2.35 mm×1.40 mm。芯片测试结果表明,在3.7~4.2 GHz频率范围内,漏极电压28 V、末级栅极电压-2.2 V、前级栅极电压-1.8 V和连续波条件下,该功率放大器的小信号增益大于25 dB,大信号增益大于20 dB,饱和输出功率大于39 dBm,在输出功率回退至32 dBm时,功率附加效率大于30%,三阶交调失真小于-37 dBc。

主 题 词：C波段 GaN HEMT 功率附加效率(PAE) 线性 单片微波集成电路(MMIC) 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.02.005

馆 藏 号：203101967...