低介电常数材料研究及进展

作     者：王海 程文海 周涛涛 卢振成 王凌振 蒋梁疏 WANG Hai;CHENG Wenhai;ZHOU Taotao;LU Zhencheng;WANG Lingzhen;JIANG Liangshu

作者机构：浙江凯圣氟化学有限公司浙江衢州324004 

出 版 物：《化工生产与技术》 (Chemical Production and Technology)

年 卷 期：2020年第26卷第2期

页      码：21-25,32,I0002,I0003页

摘      要：叙述了集成电路制造技术的发展及低介电常数(κ)金属介电层的研究背景,回顾了传统SiO2作为金属介电层所面临的问题,低κ材料取代传统SiO2介电材料是解决上述问题的有效方法。分析了低κ材料的性能要求,论述了改性SiO2基介电材料、氟化非晶碳材料、有机介电材料和复合介电材料4大类低κ材料国内外研究进展,认为现有的各种低κ材料都存在一些优缺点,表明获得综合性能优异的低κ材料才是最终目的。认为可通过分子设计制备低κ材料,研究分子结构与性能之间的关系,从而摸索出适合低κ材料的研究方法。

主 题 词：低介电常数材料 集成电路 金属介电层 

学科分类：081702[081702] 08[工学] 0817[工学-轻工类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1006-6829.2020.02.006

馆 藏 号：203101970...