硅基Ⅳ族材料外延生长及其发光和探测器件研究进展

作     者：张璐 柯少颖 汪建元 黄巍 陈松岩 李成 ZHANG Lu;KE ShaoYing;WANG JianYuan;HUANG Wei;CHEN SongYan;LI Cheng

作者机构：厦门大学物理科学与技术学院物理学系厦门361005 

基　　金：国家自然科学基金(编号:61474094,61474081) 国家重点研发计划(编号:2018YFB2200103,2013CB632103)资助项目 

出 版 物：《中国科学：物理学、力学、天文学》 (Scientia Sinica Physica,Mechanica & Astronomica)

年 卷 期：2021年第51卷第3期

页      码：41-53页

摘      要：硅基光电集成回路是信息时代最具影响力的核心技术之一,由硅基光源、光电探测器、光调制器等模块组成.硅材料是微电子集成电路的基石,然而在光电集成方面却遇到了瓶颈.首先,由于硅是间接带隙材料,其发光效率极低,因此难以应用于硅基高效光源的研制.其次,硅在近红外通讯波段吸收系数很低,因此在近红外光电探测器的应用中具有较大的局限性.然而,研究者发现,通过能带工程将硅与其他Ⅳ族材料相融合不仅可以有效提高直接带高效发光效率,同时能使材料在近红外波段具有较高的吸收系数.因此,以Ⅳ族材料为基础,与硅工艺兼容的硅基光电集成回路引起了研究者的广泛关注.本文综述了课题组在硅基材料外延生长及其发光和探测器件方面的研究进展.介绍了硅基Ⅳ族材料Ge,SiGe/Ge异质结和量子阱材料的外延生长技术,以及硅基GeSn量子点发光材料的制备新方法.基于硅基Ⅳ族异质结构材料,发展调制金属与半导体接触势垒高度新机理,研制了多种结构的光电探测器.设计并制备了与互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)结构兼容的横向异质结以及双有源区垂直共振腔型两种结构硅基电致发光器件,有效提升器件的发光性能,并观察到应变锗发光增益现象.

主 题 词：硅基光电集成 Ⅳ族材料 发光器件 光电探测器 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.1360/SSPMA-2020-0401

馆 藏 号：203101977...