填充方钴矿热电器件的结构优化设计与性能

作     者：张骐昊 刘睿恒 廖锦城 夏绪贵 王超 柏胜强 陈立东 ZHANG Qihao;LIU Ruiheng;LIAO Jincheng;XIA Xugui;WANG Chao;BAI Shengqiang;CHEN Lidong

作者机构：中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室上海200050 

基　　金：国家自然科学基金重点项目(51632010,51972324) 中科院青年促进会项目(2019253) 

出 版 物：《硅酸盐学报》 (Journal of The Chinese Ceramic Society)

年 卷 期：2021年第49卷第2期

页      码：211-219页

摘      要：基于热电器件全参数设计模型,设计并制备了具有不同拓扑结构的填充方钴矿器件,通过器件仿真模拟结果与实验数据的比对和分析,解析器件结构、界面、连接工艺等对器件输出性能的影响并建立其定量关系;使用批量合成的n型Yb_(0.3)Co_(4)Sb_(12)和p型Ce Fe_(3.85)Mn_(0.65)Sb_(12)填充方钴矿材料制备的单级器件最大转换效率达到9.8%,输出功率密度达1.42 W/cm2。

主 题 词：热电器件 结构设计 填充方钴矿 转换效率 

学科分类：0817[工学-轻工类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.14062/j.issn.0454-5648.20200584

馆 藏 号：203101979...