一种高Q值高耦合叠层射频变压器的设计

作     者：经龙 秦会斌 胡炜薇 JING Long;QIN Huibin;HU Weiwei

作者机构：杭州电子科技大学新型电子器件与应用研究所浙江杭州310018 

基　　金：浙江省科技计划项目(2017C01027) 

出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期：2021年第40卷第1期

页      码：59-64,71页

摘      要：采用TSMC 0.13 μm 1P6M CMOS工艺,设计了一种用于射频集成电路的高Q值、高耦合的叠层片上变压器。采用叠层差分结构,初级线圈和次级线圈上下完全重合,提高线圈的耦合效率及初次级线圈的品质因数Q。同时采用背硅刻蚀工艺改进衬底,减少衬底涡流损耗。研究了线圈直径d、宽度w和间距s对变压器性能的影响。应用安捷伦ADS Momentum软件,对所设计的片上变压器进行电磁场S参数仿真验证。结果表明,该变压器在4.2 GHz时品质因数Q值达到最大值13.4,在1~10 GHz频率范围内耦合系数K为0.8~1,最大可用增益G(max)接近于0.9,可应用于硅基射频集成电路设计中改善电路性能。

主 题 词：射频集成电路 高耦合 叠层 片上变压器 背硅刻蚀工艺 最大可用增益 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.1401

馆 藏 号：203101980...