锑化物Ⅱ类超晶格材料外延生长、结构及光学特性研究进展

作     者：刘胜达 房丹 方铉 赵鸿滨 李承林 王登魁 王东博 王晓华 马晓辉 魏志鹏 LIU Sheng-da;FANG Dan;FANG Xuan;ZHAO Hong-bin;LI Cheng-lin;WANG Deng-kui;WANG Dong-bo;WANG Xiao-hua;MA Xiao-hui;WEI Zhi-peng

作者机构：长春理工大学理学院高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022 香港中文大学(深圳)理工学院广东深圳518172 北京有色金属研究总院智能传感功能材料国家重点实验室北京100088 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院黑龙江哈尔滨150001 

基　　金：国家自然科学基金(62704018,61574022,61674021,12074045,11674038,61704011) 吉林省科技发展计划(20200301052RQ,20180519017JH,20180520177JH) 中国博士后科学基金面上项目(2019M652176,2019M661680) 深圳市科技计划项目基础研究(自由探索)项目(JCYJ20180307151538972) 广东省自然科学基金(2020A1515010868)资助项目 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2021年第42卷第2期

页      码：165-186页

摘      要：近年来,锑化物Ⅱ类超晶格材料在外延生长和发光性质等方面的研究取得了巨大的进步,为获得高性能中红外波段光电子器件奠定了重要的基础。然而,由于传统的InAs/GaSb体系超晶格材料中内部本征Ga原子缺陷的存在,使得InAs/GaSb材料的少子寿命过短,严重影响了光电子器件性能的提升,因此设计并生长具有长少子寿命的新材料体系超晶格材料具有重要的研究意义。本文对现阶段锑化物Ⅱ类超晶格材料的各类材料体系进行了总结和分析,着重强调了各类材料体系的外延生长条件、结构及光学特性等方面的研究进展,并对锑化物Ⅱ类超晶格材料今后的发展进行了展望。

主 题 词：锑化物 超晶格 分子束外延 少子寿命 

学科分类：0809[工学-计算机类] 07[理学] 070205[070205] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.37188/CJL.20200304

馆 藏 号：203102040...