高压大电流(4500V/600A)IGBT芯片研制

作     者：刘国友 黄建伟 覃荣震 朱春林 Liu Guoyou;Huang Jianwei;Qin Rongzhen;Zhu Chunlin

作者机构：新型功率半导体器件国家重点实验室株洲412001 株洲中车时代电气股份有限公司株洲412001 株洲中车时代半导体有限公司株洲412001 

出 版 物：《电工技术学报》 (Transactions of China Electrotechnical Society)

年 卷 期：2021年第36卷第4期

页      码：810-819页

摘      要：提高绝缘栅双极晶体管(IGBT)单芯片电流容量,对减小封装器件芯片并联数、简化封装结构、改善芯片均流至关重要。该文基于高压、大电流、高可靠性IGBT应用需求,通过高压IGBT芯片坚强元胞设计及其协同控制技术实现了元胞之间的开关同步,通过光刻拼版技术解决大尺寸芯片的工艺制造,通过单芯片压接封装验证了大尺寸芯片设计及其性能,探索出一条大尺寸IGBT芯片设计、制造与验证的技术路径。研究开发了全球第一片42mm×42mm大尺寸高压IGBT芯片,攻克了高压IGBT芯片内部大规模元胞集成及其均流控制的技术难题,首次实现了4500V/600A单芯片功率容量,具备优良的动静态特性和更宽的安全工作区,并可以显著提高IGBT封装功率密度与可靠性。

主 题 词：大尺寸IGBT芯片 电流容量 均流 压接 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.191758

馆 藏 号：203102154...