高压DC-DC控制器高效功率管驱动电路研究

作     者：刘雨鑫 张云燕 曾丽娜 杜永乾 LIU Yuxin;ZHANG Yunyan;ZENG Lina;DU Yongqian

作者机构：西北工业大学电子信息学院陕西西安710129 

基　　金：国家自然科学基金青年基金资助项目(61704139) 陕西省自然科学基金青年基金资助项目(2020JQ-203) 

出 版 物：《华中科技大学学报（自然科学版）》 (Journal of Huazhong University of Science and Technology(Natural Science Edition))

年 卷 期：2021年第49卷第3期

页      码：29-33页

摘      要：针对高压降压DC-DC(直流转直流转换器)输入电压范围宽的特点,设计了驱动电路通过钳位电路设定高压的驱动电压,同时通过源极跟随提供驱动功率管开启的驱动电流.电路集成于一款40 V 0.18μm BCD(双极型晶体管、互补金属氧化物半导体和双扩散金属氧化物半导体)工艺的高压降压DC-DC控制器芯片中,测试结果表明:在200 kHz开关频率下空载功耗为4 mA;驱动功率管开启电压最高为14 V,当输入电压小于14 V时能够提供接近输入电压的驱动压差;PMOS(P型金属氧化物半导体)功率管栅极电压驱动速率在40 V/μs以上,NMOS(N型金属氧化物半导体)功率管栅极电压驱动速率在60 V/μs以上.驱动电路具有高驱动速度和高驱动电压差,以降低开关损耗及导通损耗.

主 题 词：功率管驱动 高压DC-DC控制器 导通损耗 开关损耗 开关速度 

学科分类：080903[080903] 0810[工学-土木类] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.13245/j.hust.210306

馆 藏 号：203102363...