重掺衬底/轻掺硅外延层制备工艺研究

作     者：刘云 李明达 LIU Yun;LI Mingda

作者机构：中电晶华(天津)半导体材料有限公司天津300220 

出 版 物：《天津科技》 (Tianjin Science & Technology)

年 卷 期：2021年第48卷第2期

页      码：28-31,35页

摘      要：轻掺硅外延层/重掺衬底的过渡层结构、厚度均匀性、电阻率均匀性等关键参数与所制器件的性能密切相关。通常基于重掺衬底的轻掺硅外延层,电阻率比厚度数值至少会低一个数量级,可以有足够的反应时间攀升到稳定轻掺态。但在光电探测应用领域,所需外延层电阻率高于厚度数值2倍以上,并且要求电阻率、厚度参数控制精确,均匀性好、过渡层窄,晶格完整性好。传统外延工艺中电阻率受自掺杂影响,爬升速率缓慢,均匀性及过渡层形貌始终不能达到预期目标。基于外延掺杂机理,通过设计本征层预覆盖、基座包硅等多种手段,可有效抑制系统自掺杂干扰,实现了光电探测级高均匀性外延层的研制能力。

主 题 词：硅外延 轻掺 均匀性 过渡层 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.14099/j.cnki.tjkj.2021.02.009

馆 藏 号：203102365...