ESD保护结构设计

作     者：郑若成 刘澄淇 ZHENG Ruo-cheng;LIU Cheng-qi

作者机构：中国电子科技集团公司第58研究所江苏无锡214035 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2009年第9卷第9期

页      码：28-30,48页

摘      要：静电损伤失效可能是热击穿(电流)造成的结或金属布线熔融失效,也可能是强电场(电压)诱发的介质失效,文章主要从电流热击穿方面探讨了静电触发时的ESD(Electro-Static-Discharge)保护结构的保护机理和失效机理以及工艺和版图上的应对措施。保护结构工作时的电流泄放能力决定了其保护能力,这种能力可以通过使泄放电流均匀、优化PN结特性等方面加强。电流泄放的均匀性可以在工艺版图上进行优化,结两侧浓度决定了结的耐受能力和结上的偏压,进而影响器件功耗。另外还提及了保护结构的负面影响以及工艺上的优化方案。

主 题 词：结温 二次击穿电流 均匀放电 工艺 版图 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1681-1070.2009.09.008

馆 藏 号：203102404...