用于POF的高性能共振腔发光二极管

作     者：李建军 杨臻 韩军 邓军 邹德恕 康玉柱 丁亮 沈光地 Li Jian-Jun;Yang Zhen;Han Jun;Deng Jun;Zou De-Shu;Kang Yu-Zhu;Ding Liang;Shen Guang-Di

作者机构：北京工业大学北京光电子技术实验室北京100124 

基　　金：北京市教育委员会科技计划面上项目(批准号:KM200810005002) 北京市属市管高等学校人才强教计划资助的课题~~ 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2009年第58卷第9期

页      码：6304-6307页

摘      要：提出用AlGaAs材料为n型下DBR,AlGaInP材料为p型上DBR,GaInP/AlGaInP多量子阱为有源区来制备650 nm波长的共振腔发光二极管(RCLED).用传输矩阵法对器件的结构进行了理论设计,并制备了RCLED和普通LED两种结构.测试结果表明,RCLED有更高的发光效率,是普通LED的近1.3倍,当注入电流从3 mA增加到30 mA时,RCLED的峰值波长只变化了1 nm,而普通LED的波长则变化了7 nm,且RCLED的光谱半宽窄,远场发散角小.

主 题 词：发光二极管 共振腔 金属有机物化学气相淀积 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0805[工学-能源动力学] 0704[理学-天文学类] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.58.6304

馆 藏 号：203102407...