FPGA嵌入式多位宽SRAM的加固设计与实现

作     者：蔡永涛 张国华 曹靓 王文 CAI Yong-tao;ZHANG Guo-hua;CAO Liang;WANG Wen

作者机构：江南大学物联网工程学院 中国电子科技集团公司第五十八研究所 

基　　金：国家自然科学基金项目(61704161) 

出 版 物：《中国集成电路》 (China lntegrated Circuit)

年 卷 期：2021年第30卷第3期

页      码：24-28,44页

摘      要：本文基于汉明码EDAC算法提出了一种现场可编程门阵列(FPGA)嵌入式多位宽SRAM(BRAM)抗辐射加固方法。通过开发FPGA程序,利用FPGA资源配置编解码电路,简化了BRAM的内部结构,从而使芯片面积、成本降低;利用状态机进行数据容错处理,提高了系统可靠性。通过上述方法解决了在复杂空间环境下,多位宽BRAM不易加固的技术问题。本方法已成功应用于中电科五十八所某款FPGA中。经测试表明:根据配置实现了8bit、16bit、32bit位宽数据抗辐照加固,且BRAM抗单粒子翻转阈值达到***^(2)/mg以上。

主 题 词：FPGA BRAM 多位宽 EDAC 状态机 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203102468...