32nm CMOS工艺三点翻转自恢复锁存器设计

作     者：黄正峰 潘尚杰 曹剑飞 宋钛 欧阳一鸣 梁华国 倪天明 鲁迎春 HUANG Zheng-feng;PAN Shang-jie;CAO Jian-fei;SONG Tai;OUYANG Yi-ming;LIANG Hua-guo;NI Tian-ming;LU Ying-chun

作者机构：合肥工业大学电子科学与应用物理学院安徽合肥230601 合肥工业大学计算机与信息学院安徽合肥230601 安徽工程大学电气工程学院安徽芜湖241000 

基　　金：国家自然科学基金(No.61874156,No.61874157,No.61904001) 安徽省自然科学基金(No.1908085QF272) 

出 版 物：《电子学报》 (Acta Electronica Sinica)

年 卷 期：2021年第49卷第2期

页      码：394-400页

摘      要：CMOS工艺的特征尺寸不断缩减,电荷共享效应诱发的单粒子三点翻转成为研究热点.本文提出了一种单粒子三点翻转自恢复的抗辐射加固锁存器:Hydra-DICE(Dual Interlocked Storage Cell).该锁存器基于24个同构的交叉耦合单元(Cross-Coupled Elements,CCE)排列成阵列结构.当内部任意三个节点同时发生单粒子翻转时,该锁存器都可以自行恢复到正确的逻辑值.与具有等效三点自恢复能力的TNURL(Triple Node Upset Self-Recoverable Latch)锁存器相比,该Hydra-DICE锁存器面积开销降低50%,延迟降低48.28%,功耗降低25%,功耗延迟积降低61.21%.仿真结果表明,该加固锁存器在容错性能、面积开销、延迟和功耗方面取得了很好的折中.

主 题 词：锁存器 单粒子翻转 双模互锁存储单元 抗辐射加固 自恢复 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.12263/DZXB.20200530

馆 藏 号：203102472...