具有多场限环终端的PiN二极管反向击穿的研究

作     者：刘晓忠 汪再兴 孙霞霞 郑丽君 高金辉 LIU Xiaozhong;WANG Zaixing;SUN Xiaxia;ZHENG Lijun;GAO Jinhui

作者机构：兰州交通大学电子与信息工程学院甘肃兰州730070 

出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期：2021年第40卷第2期

页      码：119-123,149页

摘      要：场限环终端结构可以有效提高击穿电压,因而被广泛应用于半导体功率器件。场限环中多个参数都影响PiN二极管主结的击穿能力。本文基于数值模拟软件建立PiN二极管的场限环终端仿真模型,并设计十道场限环作为终端结构。分别仿真场限环结深和漂移区掺杂浓度与主结的击穿电压的关系,得到结深和漂移区掺杂浓度与击穿电压的关系曲线。当漂移区掺杂浓度一定时,PiN二极管主结击穿电压随结深的增大而增大;当结深保持不变时,PiN二极管主结击穿电压随漂移区掺杂浓度的增大而减小。随后提取击穿时的电场分布,并分别从结表面和结曲面的峰值电场、电场分布均匀度两个方面分析击穿原理。

主 题 词：PiN二极管 场限环 击穿电压 结深 漂移区掺杂浓度 电场分布 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.1632

馆 藏 号：203102474...