基于PD SOI工艺的8Kb抗辐照静态存储器

作     者：刘必慰 陈书明 梁斌 陈川 徐再林 LIU Bi-wei;CHEN Shu-ming;LIANG Bin;CHEN Chuan;XU Zai-lin

作者机构：国防科技大学计算机学院湖南长沙410073 

基　　金：教育部高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20079998015) 

出 版 物：《计算机工程与科学》 (Computer Engineering & Science)

年 卷 期：2009年第31卷第7期

页      码：81-84页

摘      要：SOI工艺具有内在的抗辐照能力,因此被广泛地应用于航天、军事等高可靠领域。本文基于我国目前最先进的0.5μm的PD SOI工艺设计了8Kb的SRAM,并且采用体引出、环形栅等多种技术对其进行了抗辐射加固。模拟表明该SRAM的读写时间小于20ns,50MHz下平均功耗小于55.8mW。

主 题 词：抗辐照 PD SOI 静态存储器 

学科分类：08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1007-130X.2009.07.023

馆 藏 号：203102544...