硅基紫外增强型光电二极管的研制

作     者：黄烈云 程顺昌 刘钟远 向荣珍 龙雨霞 任利平 HUANG Lieyun;CHENG Shunchang;LIU Zhongyuan;XIANG Rongzhen;LONG Yuxia;REN Liping

作者机构：重庆光电技术研究所重庆400060 

出 版 物：《集成电路应用》 (Application of IC)

年 卷 期：2021年第38卷第3期

页      码：1-3页

摘      要：详细介绍了器件结构设计和制作工艺,描述了采用低能离子注入、高温快速热处理等工艺技术,研制出高性能硅基紫外增强型PIN光电二极管。对器件暗电流和光谱特性等进行了测试分析。实验结果表明,探测器暗电流小于1.0nA(V_(R)=100V),响应度达到0.13A/W(λ=250nm),响应时间约5.5ns(V_(R)=15V),量子效率在波长220~360nm范围内达到50%~70%。

主 题 词：紫外增强 PIN光电二极管 暗电流 响应度 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.19339/j.issn.1674-2583.2021.03.001

馆 藏 号：203102607...