半导体带间级联激光器研究进展

作     者：张一 杨成奥 尚金铭 陈益航 王天放 张宇 徐应强 刘冰 牛智川 Zhang Yi;Yang Cheng'ao;Shang Jinming;Chen Yihang;Wang Tianfang;Zhang Yu;Xu Yingqiang;Liu Bing;Niu Zhichuan

作者机构：中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 中国科学院大学材料科学与光电子技术学院北京100049 北京量子信息科学研究院北京100193 

基　　金：国家自然科学基金(61790583,61435012) 广东省重点领域研发计划(2020B0303020001) 

出 版 物：《光学学报》 (Acta Optica Sinica)

年 卷 期：2021年第41卷第1期

页      码：211-227页

摘      要：半导体带间级联量子阱是实现3~5μm波段中红外激光器的重要前沿,其在半导体光电器件技术、气体检测、医学医疗以及自由空间光通信等诸多领域具有重要科学意义和应用价值。半导体带间级联量子阱发光机理是以二类量子阱中的电子与空穴的带间辐射复合发光为主导,再通过电子注入区与空穴注入区形成级联放大,实现多个量子阱周期内电子与空穴的重复利用。本文综述了半导体带间级联激光器从提出能带结构、外延材料到器件制备技术的发展历程,剖析了器件结构各功能区基本概念和工作原理,介绍了器件结构设计与制备工艺技术难点的里程碑突破,详细解释了载流子再平衡、分别限制层等设计,最后展望了半导体带间级联激光器的发展方向和趋势。

主 题 词：激光器 半导体 量子阱 激光理论 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/AOS202141.0114004

馆 藏 号：203102612...