用于ESD防护的PDSOI NMOS器件高温特性

作     者：王加鑫 李晓静 赵发展 曾传滨 李博 韩郑生 罗家俊 Wang Jiaxin;Li Xiaojing;Zhao Fazhan;Zeng Chuanbin;Li Bo;Han Zhengsheng;Luo Jiajun

作者机构：中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院硅器件技术重点实验室北京100029 中国科学院大学北京100049 

基　　金：国家自然科学基金青年基金资助项目(61804168) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2021年第46卷第3期

页      码：210-215页

摘      要：研究了基于0.18μm部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺的静电放电(ESD)防护NMOS器件的高温特性。借助传输线脉冲(TLP)测试系统对该ESD防护器件在30~195℃内的ESD防护特性进行了测试。讨论了温度对ESD特征参数的影响,发现随着温度升高,该ESD防护器件的一次击穿电压和维持电压均降低约11%,失效电流也降低近9.1%,并通过对器件体电阻、源-体结开启电压、沟道电流、寄生双极结型晶体管(BJT)的增益以及电流热效应的分析,解释了ESD特征参数发生上述变化的原因。研究结果为应用于高温电路的ESD防护器件的设计与开发提供了有效参考。

主 题 词：静电放电(ESD) 绝缘体上硅(SOI) NMOSFET 高温 传输线脉冲(TLP) 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.03.007

馆 藏 号：203102614...