基于不同V_(TH)值的新型CMOS电压基准

作     者：崔智军 王庆春 CUI Zhijun;WANG Qing-chun

作者机构：安康学院陕西安康725000 

基　　金：陕西省教育厅科学研究计划资助项目(07JK176) 安康学院专项科研项目(AYQDZR2010002) 安康学院高层次人才科研专项项目(AYQDZR20) 

出 版 物：《现代电子技术》 (Modern Electronics Technique)

年 卷 期：2011年第34卷第14期

页      码：141-143,147页

摘      要：传统基准电路主要采用带隙基准方案,利用二级管PN结具有负温度系数的正向电压和具有正温度系数的VBE电压得出具有零温度系数的基准。针对BJT不能与标准的CMOS工艺兼容的缺陷,利用NMOS和PMOS管的两个阈值电压VTHN和VTHP具有相同方向但不同数量的温度系数,设计了一种基于不同VTH值的新型CMOS基准。该电路具有没有放大器、没有BJT、结构简单等特点,适宜于标准CMOS工艺集成。在此给出了详细的原理分析和电路实现。该电路通过HSpice验证,其输出基准电压为1.22 V,在-40^+85℃内温度系数仅为30 ppm/℃,电源电压为2.6~5.5 V时,电源电压调整率为1.996 mV/V。

主 题 词：CMOS 温度补偿 阈值电压 放大器 BJT 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16652/j.issn.1004-373x.2011.14.018

馆 藏 号：203102628...