阵列基板铜工艺不良研究

作     者：吴祖谋 白金超 丁向前 刘明悬 李小龙 王勋 刘海鹏 宋勇志 陈维涛 WU Zu-mou;BAI Jin-chao;DING Xiang-qian;LIU Ming-xuan;LI Xiao-long;WANG Xun;LIU Hai-peng;SONG Yong-zhi;CHEN Wei-tao

作者机构：北京京东方显示技术有限公司北京100176China 

出 版 物：《液晶与显示》 (Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays)

年 卷 期：2021年第36卷第4期

页      码：560-565页

摘      要：本文结合产品开发过程中遇到的铜相关不良现象进行研究,提出了有效的改善措施。结果表明,在第一次氮化硅刻蚀中的后灰化工序有高含量的氧气,会使过孔内部铜发生氧化而发黑。使用氢等离子体处理,可以将氧化铜还原成铜,在生产线光学设备测量时过孔反射出金属白色。在氧化铟锡刻蚀过程中,高温退火会造成裸露的铜发生严重氧化,需要去掉退火步骤或者更改设计来规避。在第二次氮化硅刻蚀步骤中,高含量的氧会氧化过孔处的铜,造成过孔连接异常,降低刻蚀步骤中氧气含量可以解决该不良。

主 题 词：阵列工艺 铜腐蚀,铜氧化 黑孔不良 退火 垂直黑线不良 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.37188/CJLCD.2020-0253

馆 藏 号：203102675...