基于MOSFET的半导体激光器驱动电路设计及其改进

作     者：马天翔 田小建 

作者机构：吉林大学电子科学与工程学院吉林长春130012 

出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)

年 卷 期：2012年第39卷第B6期

页      码：450-453页

摘      要：在金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作为开关配合电容充放电实现脉冲功率放大时，输出的脉冲电流受到MOSFET元件性能制约，而且由于分布参数的影响脉冲电流非常容易出现过冲。为了解决这些问题，提出了一种MOSFET互补输出电路，它能提供更快的脉冲关断时间，并且对过冲的产生起到一定抑制作用。经实验证明，改进后电路的输出得到了改善。

主 题 词：光电子学 半导体激光器驱动器 金属氧化物半导体场效晶体管 脉冲功率放大 互补输出 

学科分类：070207[070207] 07[理学] 08[工学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

馆 藏 号：203102688...