基于碳化硅材料的电容式高温压力传感器的研究

作     者：梁庭 贾传令 李强 王心心 李永伟 雷程 LIANG Ting;JIA Chuan-ling;LI Qiang;WANG Xin-xin;LI Yong-wei;LEI Cheng

作者机构：中北大学电子测试技术重点实验室仪器科学与动态测试教育部重点实验室山西太原030051 

基　　金：山西省重点研发计划项目(201903D121123) 山西省自然科学基金项目(201801D121157,201801D221203) 高等学校科技创新项目(1810600108MZ) 重点实验室基金(6142001190414) 2020年中央引导地方科技发展资金自由探索类项目(Z135050009017) 

出 版 物：《仪表技术与传感器》 (Instrument Technique and Sensor)

年 卷 期：2021年第3期

页      码：1-3,8页

摘      要：针对现有的硅基高温压力传感器不满足更高温度环境(≥500℃)下测试需求的问题,设计并制备了一种基于碳化硅(SiC)材料的电容式高温压力传感器。利用ICP刻蚀工艺和直接键合工艺实现了气密性良好的敏感绝压腔结构,结合金属沉积、金属图形化等MEMS工艺制备了感压敏感芯片。搭建了压力-温度复合测试平台,完成了传感器在0~600℃环境下压力-电容响应特性的测试。测试结果表明,在0~300 kPa内,该传感器灵敏度为4.51×10-3 pF/kPa,非线性误差为2.83%;同时测试结果也表明该传感器的温度漂移效应较低,0~600℃环境下电容变化量为8.50~8.65 pF。

主 题 词：微机电系统 碳化硅 电容式高温压力传感器 直接键合 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

馆 藏 号：203102695...