硅-MOS型三维磁场敏感器结构研究

作     者：赖宗声 刘亿 吴光励 

作者机构：华东师范大学电子科学系 

基　　金：传感技术联合开放国家重点实验室1988年度资助项目 

出 版 物：《传感技术学报》 (Chinese Journal of Sensors and Actuators)

年 卷 期：1991年第4卷第3期

页      码：1-6页

摘      要：本文提出了一种硅-MOS型三维磁场敏感器结构,它是将对B_z分量敏感的一维横向DMOS(LDMOS)与对B_x和B_y分量敏感的两维的纵向DMOS(VDMOS)开合集成在一起。该磁场敏感器的最小空间分辨率为:10μm×16μm×32.5μm,相对灵敏度S_(RY)优于6×10^(-2)T^(-1)。当外加磁感应强度低于0.4T时该器件非线性误差低于1×10^(-2)。由于本器件采用了特殊的相容性制造工艺,可易于得到与磁敏器件接口的电路优化设计。

主 题 词：磁场敏感器 结构 三维 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

馆 藏 号：203102718...