一种基于MEMS体硅工艺的三维集成T/R模块

作     者：王清源 吴洪江 赵宇 赵永志 Wang Qingyuan;Wu Hongjiang;Zhao Yu;Zhao Yongzhi

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2021年第46卷第4期

页      码：300-304,336页

摘      要：采用微电子机械系统(MEMS)体硅三维异构集成技术,设计了一种应用于雷达的四通道瓦片式三维集成T/R模块。该模块由三层硅基封装堆叠而成,每层硅基封装内部腔体异构集成多个单片微波集成电路(MMIC),内部采用硅通孔(TSV)实现互连,层间通过焊球互连。模块最终尺寸为8 mm×8 mm×3.5 mm。装配完成后对该模块进行测试,测试结果表明,在34~36 GHz内,模块的饱和发射功率为21 dBm,单通道发射增益达到21 dB,接收增益为23 dB,接收噪声系数小于3.5 dB,同时具备6 bit数控移相和5 bit数控衰减等功能。该模块在4个通道高密度集成的基础上实现了较高的性能。

主 题 词：微系统 微电子机械系统(MEMS)体硅工艺 T/R前端 三维异构集成 硅通孔(TSV) 

学科分类：0810[工学-土木类] 08[工学] 081001[081001] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.04.008

馆 藏 号：203102727...